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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia85565-24¥2.052025-49¥1.900050-99¥1.7936100-499¥1.7480500-2499¥1.71762500-4999¥1.67965000-9999¥1.6644≥10000¥1.6416
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia21485-24¥1.876525-49¥1.737550-99¥1.6402100-499¥1.5985500-2499¥1.57072500-4999¥1.53605000-9999¥1.5221≥10000¥1.5012
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia55755-24¥1.755025-49¥1.625050-99¥1.5340100-499¥1.4950500-2499¥1.46902500-4999¥1.43655000-9999¥1.4235≥10000¥1.4040
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品类: 双极性晶体管描述: Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 15V, 420MHz, 590mW, 500mA, 90 hFE281820-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia44015-24¥1.539025-49¥1.425050-99¥1.3452100-499¥1.3110500-2499¥1.28822500-4999¥1.25975000-9999¥1.2483≥10000¥1.2312
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia83935-24¥1.606525-49¥1.487550-99¥1.4042100-499¥1.3685500-2499¥1.34472500-4999¥1.31505000-9999¥1.3031≥10000¥1.2852
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia86925-24¥1.620025-49¥1.500050-99¥1.4160100-499¥1.3800500-2499¥1.35602500-4999¥1.32605000-9999¥1.3140≥10000¥1.2960
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品类: 双极性晶体管描述:65855-24¥2.133025-49¥1.975050-99¥1.8644100-499¥1.8170500-2499¥1.78542500-4999¥1.74595000-9999¥1.7301≥10000¥1.7064
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品类: 双极性晶体管描述: Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -20V, 85MHz, 770mW, -6.6A, 400 hFE137720-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 双极性晶体管描述: TRANS NPN 40V 2A SOT89871920-49¥0.337550-99¥0.3125100-299¥0.3000300-499¥0.2900500-999¥0.28251000-4999¥0.27755000-9999¥0.2725≥10000¥0.2675
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia78835-24¥2.214025-49¥2.050050-99¥1.9352100-499¥1.8860500-2499¥1.85322500-4999¥1.81225000-9999¥1.7958≥10000¥1.7712
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia831610-49¥0.850550-99¥0.8064100-299¥0.7749300-499¥0.7560500-999¥0.73711000-2499¥0.71822500-4999¥0.6899≥5000¥0.6836
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品类: 双极性晶体管描述: PBSS4240T - 40V; 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor292120-49¥0.270050-99¥0.2500100-299¥0.2400300-499¥0.2320500-999¥0.22601000-4999¥0.22205000-9999¥0.2180≥10000¥0.2140
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia147210-49¥1.080050-99¥1.0240100-299¥0.9840300-499¥0.9600500-999¥0.93601000-2499¥0.91202500-4999¥0.8760≥5000¥0.8680
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia48885-24¥3.037525-49¥2.812550-99¥2.6550100-499¥2.5875500-2499¥2.54252500-4999¥2.48635000-9999¥2.4638≥10000¥2.4300
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia17695-24¥4.185025-49¥3.875050-99¥3.6580100-499¥3.5650500-2499¥3.50302500-4999¥3.42555000-9999¥3.3945≥10000¥3.3480
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品类: 双极性晶体管描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin (3+Tab)499010-49¥0.742550-99¥0.7040100-299¥0.6765300-499¥0.6600500-999¥0.64351000-2499¥0.62702500-4999¥0.6023≥5000¥0.5968
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia29095-24¥1.728025-49¥1.600050-99¥1.5104100-499¥1.4720500-2499¥1.44642500-4999¥1.41445000-9999¥1.4016≥10000¥1.3824